Infineon erweitert seine Halbleiterproduktion in Villach um eine GaN-Fertigungseinheit. Die Anlage verarbeitet Leistungshalbleiter auf Wafern mit 300 Millimetern Durchmesser. Damit entsteht nach Unternehmensangaben die erste Hochvolumenproduktion dieser Technologie weltweit. Bis 2034 sind Investitionen von ungefähr 1,1 Milliarden Euro vorgesehen. Bestehende Reinräume bilden die Grundlage für den geplanten Produktionsausbau. Der reguläre Fertigungsstart ist gegen Ende des Jahres 2027 geplant. Die Produktionsmenge richtet sich fortlaufend nach der Entwicklung relevanter Absatzmärkte.
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Infineon schafft mit 300-Millimeter-Wafern eine skalierbare Villacher GaN-Produktionsbasis für Zukunftschips
Die neue Produktionslinie in Villach setzt auf 300-Millimeter-Wafer für GaN-Leistungshalbleiter. Sie ermöglicht hohe Stückzahlen und unterstützt die industrielle Technologieausweitung nachhaltig. Je Wafer können mehr Bauelemente parallel innerhalb definierter Prozesse entstehen. Das verbessert die Voraussetzungen für reproduzierbare Abläufe in großen Fertigungsvolumina. GaN wird dadurch als leistungsfähige Technologieplattform für neue Anwendungen positioniert. Der Standort bündelt dazu Produktionskompetenz mit technischem Wissen und Erfahrung. Villach festigt seine internationale Bedeutung als Zentrum moderner Leistungshalbleiterfertigung weiter.
Infineon setzt beim Kapazitätsausbau auf vorhandene Produktionsinfrastruktur in Villach
Infineon nutzt in Villach vorhandene Reinräume für den geplanten Produktionsausbau. Bestehende Flächen erhalten die erforderlichen technischen Anpassungen für neue Fertigungsprozesse. Modernisierte Infrastruktur ersetzt wesentliche Teile eines aufwendigen Neubauvorhabens am Standort. Dies verringert bauliche Eingriffe und begrenzt den finanziellen Ressourcenbedarf deutlich. Versorgungssysteme und Produktionsstrukturen können nach entsprechender Anpassung weiterverwendet werden. Der Ausbau erfolgt deshalb schneller und besser innerhalb vorhandener Betriebsabläufe. Zusätzliche Kapazitäten werden entsprechend der tatsächlichen Nachfrage schrittweise bereitgestellt werden.
Neue GaN-Fertigung bedient wachsenden Bedarf energieeffizienter Leistungshalbleiter weltweit künftig
Galliumnitrid-Halbleiter optimieren Stromversorgungslösungen, weil sie elektrische Energie bei hohen Schaltfrequenzen mit geringeren Verlusten umwandeln. Diese Eigenschaften erleichtern die Entwicklung kompakter Systeme mit hoher Leistungsdichte und reduziertem Kühlbedarf. Besonders KI-Rechenzentren benötigen solche Komponenten, um ihren wachsenden Strombedarf effizienter zu decken. Zusätzlich profitieren Energie-Infrastruktur, Elektrofahrzeuge, Robotik und Konsumentenelektronik. Die geplante Fertigung stärkt daher Märkte, in denen leistungsfähige, sparsame und zuverlässig skalierbare Halbleiter für anspruchsvolle Anwendungen künftig besonders häufig benötigt werden.
Villacher GaN-Fertigung startet 2027 mit flexiblem Kapazitätsausbau nach Nachfrage
Der vorgesehene Produktionsbeginn für Galliumnitrid-Leistungshalbleiter in Villach liegt am Ende des Jahres 2027. Infineon rechnet für das Vorhaben bis 2034 mit einem Investitionsvolumen von ungefähr 1,1 Milliarden Euro. Die Kapazitäten sollen in mehreren Stufen aufgebaut werden und dabei der tatsächlichen Nachfrage folgen. Dieses Vorgehen ermöglicht eine wirtschaftliche Steuerung der Fertigung, weil Produktionsumfang, Auslastung und weitere Ausbauphasen jederzeit an den Bedarf wichtiger Abnehmer angepasst werden können.
Förderung aus Chips Act erweitert europäische Hochvolumenfertigung für Leistungshalbleiter
Mit der Förderung in Höhe von 319 Millionen Euro erhält das Villacher Fertigungsprojekt finanzielle Unterstützung aus dem Europäischen Chips Act. Das Geld dient nicht allein der Erweiterung von Anlagen, sondern auch der Absicherung einer leistungsfähigen Halbleiterproduktion in Europa. Die entstehende Hochvolumenfertigung erhöht die Verfügbarkeit moderner Leistungshalbleiter für europäische Industriekunden. Zugleich unterstützt sie das Ziel, strategische Abhängigkeiten zu reduzieren und technologische Fähigkeiten entlang der gesamten Wertschöpfungskette dauerhaft in Europa zu verankern.
Die Investition schafft in Villach eine skalierbare Basis für GaN-Chips. Vorhandene Reinräume werden modernisiert und für neue Prozesse genutzt zielgerichtet. Dadurch können Fertigungskapazitäten schneller und kostenschonender wachsen als Neubauten würden. GaN-Leistungshalbleiter verbessern die Energieumwandlung in anspruchsvollen elektronischen Systemen erheblich künftig. Rechenzentren Fahrzeuge und Energieanlagen zählen zu den relevanten Einsatzfeldern besonders. Der Chips Act fördert den Ausbau europäischer Fertigungsstandorte gezielt dabei. So werden Lieferwege diversifiziert und technologische Handlungsspielräume Europas erweitert nachhaltig.
